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PMZ200UNEYL
PMZ200UNEYL
FET，MOSFET - 单-晶体管
制造厂商：
Nexperia（安世半导体）
功能简述：
MOSFET N-CH 30V SOT883
原厂封装：
SC-101，SOT-883
优势价格，PMZ200UNEYL的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
PMZ200UNEYL的技术资料下载
PMZ200UNEYL的功能参数资料 - Nexperia(安世半导体)提供
Nexperia公司器件型号：PMZ200UNEYL
制造商：Nexperia USA Inc.（安世半导体）-2017年从NXP分离
功能总体描述：MOSFET N-CH 30V SOT883
所属类别：FET，MOSFET - 单-晶体管
系列：-
零件状态：在售
FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：950mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：2.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：89pF @ 15V
Vgs（最大值）：±8V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：350mW（Ta）, 6.25W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：250 毫欧 @ 1.4A，4.5V
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
Nexperia公司标准封装：DFN1006-3
封装形式：SC-101，SOT-883
PMZ200UNEYL的标准包装数量(SPQ)：10000 PCS
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